8月21日消息，SK海力士宣布成功開發面向AI行業的超高性能DRAM新產品HBM3E，這是目前可用于AI應用的下一代最高規格DRAM。據悉，SK海力士計劃在明年上半年開始量產HBM3E，現已提供給NVIDIA和其他客戶進行性能評估。

SK海力士透露，該產品可每秒處理1．15TB的數據，相當于能在1秒內處理230部5GB大小的全高清級電影。

(資料圖片)

此外，通過在最新產品上采用先進質量回流模塑底部填充（MR－MUF）的尖端技術，該產品的散熱性能提高了10％。它還提供向后兼容性，甚至可以在為 HBM3 準備的系統上采用最新產品，而無需修改設計或結構。

（注：MR－MUF：將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態的保護材料，并進行固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。

向后兼容性（Backward compatibility）：指在配置為與舊版產品可兼容的IT／計算系統內，無需另行修改或變更即可直接使用新產品。例如，對CPU或GPU企業，如果半導體存儲器新產品具有向后兼容性，則無需進行基于新產品的設計變更等，具有可直接使用現有CPU／GPU的優點。）

早在今年六月，SK海力士已經收到了NVIDIA的請求，要求對其下一代HBM3e DRAM進行采樣，當NVIDIA成為現實時，它成為現實。宣布其 GH200 GPU 具有增強的 HBM3e DRAM，每個芯片提供高達 5 TB／s 的帶寬。

該公司表示，憑借其作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，并鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。

據該公司稱，最新產品不僅符合業界最高的速度標準，AI內存產品的關鍵規格，而且所有類別都包括容量，散熱和用戶友好性。

此外，通過在最新產品上采用先進質量回流模塑底部填充（MR－MUF）的尖端技術，該產品的散熱性能提高了10％。它還提供向后兼容性，甚至可以在為 HBM3 準備的系統上采用最新產品，而無需修改設計或結構。

AI模型正在重塑千行百業，包括與之密切相關的計算能力產業鏈。如今，AI模型的快速發展對存儲行業提出了新的要求。隨著大型模型的出現，海量的數據需要更強的存儲性能來支持高效的數據訪問和處理，以釋放計算能力。因此，存儲行業正在升級和改變，涌現出一些新的概念和技術，如高帶寬存儲（HBM）等。

高帶寬存儲（HBM）是一種新型的內存技術，通過將DRAM堆疊在芯片上，提供了更大的帶寬和更低的能耗。HBM可以滿足大型模型對高速數據傳輸的需求，提供了更好的數據處理能力。

高性能的存儲產品如HBM3E對于大型AI模型的數據處理需求至關重要，它能夠滿足海量數據的高速讀寫和處理要求，從而充分釋放計算能力。

通過持續的技術創新和新產品的開發，存儲行業積極應對AI模型對數據存儲和處理的要求。這將進一步推動AI技術的發展，為各行各業的數字化轉型和創新提供更強大的支持。

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